Tanto los transistores de silicio como los transistores de germanio tienen la función de amplificación de corriente. La diferencia es que el voltaje de la zona muerta de los transistores de silicio es mayor que el de los transistores de germanio; el voltaje de encendido de los transistores de silicio es de aproximadamente 0.7V, y el voltaje de encendido de los transistores de germanio es de aproximadamente 0.3V;
La corriente inversa de los transistores de silicio es mucho menor que la de los transistores de germanio; la temperatura de funcionamiento máxima permitida por los transistores de silicio es superior a la de los transistores de germanio; Los transistores de silicio son más estables que los transistores de germanio.
