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¿Cuál es la etapa de desarrollo de las células fotovoltaicas de silicio cristalino?

Nov 23, 2021

Al igual que la tecnología de semiconductores basada en silicio, la tecnología fotovoltaica solar de silicio cristalino se ha desarrollado durante más de medio siglo. Desde la costosa aplicación inicial de satélite espacial, se ha convertido en la aplicación de generación de energía privada más barata y distribuida. Desde 2021, la energía fotovoltaica ha entrado en un punto de inflexión histórico de paridad en el lado de la generación de energía. El costo de la generación de energía fotovoltaica en la mayor parte del mundo es más bajo que el de la generación de energía tradicional a base de carbón.

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La industria solar de silicio cristalino se ha convertido en una industria con un valor de producción de más de un billón de yuanes. Sin embargo, desde la perspectiva del ciclo de vida de la industria &, la industria solar de silicio cristalino acaba de salir del camino de los subsidios y entró en la etapa de crecimiento, y sus perspectivas son extremadamente amplias. Con la rápida caída en el precio del almacenamiento de energía, se espera que en aproximadamente 4-5 años, el sistema de almacenamiento solar que puede producir energía en todo clima también logre la paridad en el lado de la generación de energía, ingresando así a la era de los principales desarrollo energético de almacenamiento solar.

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Los fusibles DISSMANN se venden en los mercados de China, Europa, Estados Unidos, Oriente Medio y el sudeste asiático. Actualmente nuestros clientes son Apple, Microsoft, DELL, LG, Samsung, Siemens, Amphenol, BYD, CATL, Zotye Auto, Leadway Auto, etc.



En cuanto a la vía técnica, la eficiencia de conversión del 23% de las células fotovoltaicas de silicio cristalino se enfrenta a un nuevo punto de inflexión tecnológico. Desde la ruta de tecnología principal de PERC tipo P (Emisor pasivado y celda trasera), que es el cuello de botella de la mejora de la eficiencia, hasta una mayor eficiencia de conversión TOPCon (contacto pasivado de óxido de túnel), HJT (heterounión con capa delgada intrínseca), IBC (interdigitado Back Contact), actualizaciones de ruta de tecnología de tipo N como HBC (Heterojunction Back Contact).



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